兆易创新:需求不振致业绩下降 今年业绩指标完成难度非常大

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兆易创新:需求不振致业绩下降 今年业绩指标完成难度非常大
2023-11-09 23:48:00
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  受行业处于下行周期和市场激烈竞争影响,存储和MCU龙头兆易创新前三季度业绩大降。公司管理层在11月9日盘后召开的2023Q3业绩说明会上表示,今年股权激励业绩指标完成难度很大。
  兆易创新三季报显示,2023年前三季度,公司营收43.94亿元,同比-35.08%,归母净利4.34亿元,同比-79.27%;从单季度表现来看,Q3公司营收14.29亿元,环比-12.05%,归母净利0.98亿元,环比-47.45%。
  “Q3营收下滑原因主要是芯片产品市场需求下降,产品价格相较去年下降,导致尽管公司产品销量有所增加,营业收入仍同比下降;此外,公司DRAM 产品规划以自研产品为主,Q3经销DRAM产品销售收入大幅减少。前三季度归母净利同比下降原因,主要系销售收入下降、第三季度汇兑收益减少以及存货减值损失增加。”公司管理层在交流会上解释称。
  半导体产业带有明显的周期性特征,基本每隔4-5年就会经历一轮周期。上行周期从周期底部到周期顶部一般要经历1-3年,而下行周期从周期顶部到周期底部通常要经历1-2年。本轮价格周期约自2021年开始见顶下行,对兆易创新业绩造成极大影响。
  “2023年前三季度仍处于下行周期。大存储产品(用于手机、PC和服务器的DRAM以及3D Nand)价格经历了约6-7个季度的下跌周期,NOR Flash过去几个季度还是延续价格下跌的趋势;MCU产品价格也经历了大约4个季度的下降。”兆易创新管理层称。
  不过,最近两个月,存储产品价格正在反弹,而MCU产品价格也趋于稳定,有业内人士表示周期复苏或将到来。
  中原证券分析称,本轮DRAM周期在2021年4月左右见顶回落,今年9月价格触底回升,10月继续反弹,下行周期持续时间已达2年半左右;NAND Flash情况类似,自2021年8月左右见顶回落,9、10两个月部分NAND Flash现货价格反弹了20%以上。DRAM和NAND Flash价格都已跌破上一轮周期底,本轮下行周期价格拐点或已至,而海外存储龙头厂商纷纷减少产出及调整资本开支计划,供给端有望逐步收缩。
  兆易创新管理层称,“展望明年,我们认为大体上随着减产效应的体现,供需会达到平衡的状态,大存储的价格有望延续反弹的走势,但也不太会出现暴涨暴跌的情况;利基型DRAM则会随着大存储反弹的走势,延续微弱反弹的趋势。”
  今年10月,有媒体报道,MCU大厂盛群总经理高国栋也表示,MCU市场是否会回暖还需再观察一个季度,但至少目前产品单价趋于稳定。一旦市场需求出现反转,不仅去库存有望迅速完成,且业绩动能更有望同步升温,期待2024年可迎来曙光。
  值得一提的是,今年7月4日,兆易创新审议通过了2023年股票期权激励计划议案,其中,2023年营收增长率目标为110%,对应的营收绝对值不低于 69.619 亿元。这意味着要完成股权激励目标,兆易创新今年Q4营收至少要达到25.674亿元。
  而对于今年的业绩情况,兆易创新管理层在交流会上直言,“公司今年股权激励业绩指标完成难度非常大。公司会尽最大努力去完成。”
(文章来源:21世纪经济报道)
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